根据Kuai Technology于4月9日，SK Hynix在DRAM芯片技术领域取得了重大成功，而DRAM芯片收益率的1CNM过程从去年的下半年迅速提高到80％-90％的领先行业水平。当AI波推动对高性能存储的流出所需的流出时，这一技术成功是在一个关键时期，有望帮助SK Hynix在消费者和数据中心市场以及三星在DRAM领域的领导地位建立技术益处。使用1CNM工艺制造的DDR5 DRAM芯片显示出显着的性能提高：运行速度达到8Gbps，比上一代产品增加了11％；能源效率超过9％；通过更改设计技术，Kaproutuction的产量提高了30％以上。 SK Hynix保持成本的竞争力，同时通过应用新材料和优化EUV流程来提高性能。据估计，数据中心是指在采用此芯片后，TED可节省超过30％的电力成本。尽管尚未确定市场上的特定时间，但这种技术成功为下一代高性能存储解决方案奠定了基础。随着越来越多的收益率和生产能力的逐步扩展，预计1CNM鼓芯片将恢复存储市场结构，并为AI期间的数据处理需求提供更强的支持。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示Pirun：Kuai技术编辑：Lujiao